Merkmale & Beschreibung von DDR2 800MHz Gedächtnis-Modul

Spezifikation (DDR2 800MHz Gedächtnis-Modul):

1) DDR2 800MHz zu 533MHz

2) 240 Stifteinfaßungsart Doppelreihengedächtnismodul (DIMM)

3) bleifreies 1.8V Spg.Versorgungsteil

4) Datenrate: 800Mhz/667Mbps/533Mbps

5) (SSTL-18 kompatibel) Input/Output 1.8V

6) Doppelt-Daten-Rate Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktgeberzyklus

7) wird bidirektionaler, differenzialer Datenröhrenblitz (DQS und /DQS) übertragen,/empfangen mit Daten, 

    zu verwendet werden, wenn Daten am Empfänger gefangen genommen werden

8) ist DQS der Rand, der mit Daten für Messwert ausgerichtet ist: Mitte ausgerichtet mit Daten für Schreiben

9) Differenzzeituhreingänge (CK und /CK)

10) richtet DLL DQ und DQS Übergänge mit CK-Übergängen aus

11) Befehle eingegeben auf jedem positiven CK-Rand: Daten und Datenschablone bezogen zu beiden Rändern von DQS

12) Vier interne Banken für Parallelbetrieb (Bestandteil)

13) Daten maskieren (DM) für schreiben Daten

14) Stoßlängen: 4, 8

15) Cas-Latenz (CL): 3, 4, 5

16) Selbstaufladungsbetrieb für jeden sprengte Zugang

17) Automobil erneuern und Selbst erneuern Modi

18) durchschnittliche periodische 7.8us erneuern Abstand

19) Informierter CAS durch programmierbare additive Latenz für bessere Befehls- und Datenübertragungsweg-Leistungsfähigkeit

) Weg-Span-Fahrer 20 Widerstand Justage und Auf-sterbenendpunkt für bessere Signalqualität

21) DQS kann für single-ended Datenröhrenblitzbetrieb untauglich sein