CDHC bietet eine Vielzahl der Standard- und kundenspezifischen PIN-Fotodioden innen und der verbundenen Faser an
Pakete. Unsere Silikonvorrichtungen umfassen das optische Spektrum von 400 zu 1100nm;
InGaAs ist von 1100 zu 1650nm optimal. Alle Vorrichtungen sind innen FÜR Pakete vorhanden,
Faser pigtailed Koaxialpakete oder in den Verbindungsstückart-Aufnahmewannenpaketen.
InGaAs PIN-Fotodetektoren
Eigenschaften: Lärmarmer, niedriger Dunkelstrom Niedrige Terminalkapazitanz Standard zum Paket, Faser pigtailed Koaxialpakete oder in den vorhandenen Verbindungsstückart-Aufnahmewannenpaketen | |
Anwendungen: NIR (nahe Infrarot) Photometrie Optische Nachrichtenübertragung |
Grenzdaten
Parameter |
| Symbol |
| Wert |
| Maßeinheit | |||||
Betriebstemperatur |
| Oberseite |
| -40~+85 |
| °C | |||||
Speichertemperatur |
| Tstg |
| -40 ~ +125 |
| °C | |||||
Rückspannung |
| Vr |
| 30 |
| V | |||||
Blei-lötende Temperatur (sek 10.) |
| Tis |
| 260 |
| °C | |||||
Spezifikationen | Testbedingung | GCPD-1P0075 | GCPD-1P03 | Maßeinheit | |||||||
Heikles Gebiet | - | E75 | E300 | μm | |||||||
Verantwortlichkeit | =1310nm | ≥0.85 | ≥0.85 | A/W | |||||||
=1550nm | ≥0.90 | ≥0.90 | |||||||||
Wartespektrum | - | 850~1700 | 850~1700 | Nanometer | |||||||
Dunkelstrom (typisch) | Vr=5V | ≤0.6 | ≤1 | Na | |||||||
Kapazitanz | Vr=5V | 0.4 | 5.0 | Leistungsfaktor | |||||||
Zeit des Aufstieges/Fall | Vr=5V | 0.3 | 1 | ns | |||||||
Bandbreite | 3dB | 1.5 | 0.5 | Gigahertz | |||||||
Sättigungsenergie (typisch) | Vr=5V | ≥2 | 2 | mW | |||||||
Heikles Gebiet | - | E500 | E1000 | μm | |||||||
Verantwortlichkeit | =1310nm | ≥0.80 | ≥0.80 | A/W | |||||||
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