| optischer Empfänger: optischer Sender |
Leistungsmerkmale
n Mit PIN-photoelektrischem Konverter und hoher Antwort.
n OptimierungsSchaltungsentwurf, SMT Prozessproduktion, OptimierungsSignalweg, photoelektrisches Signalgetriebe der Flussigkeit.
n Mit fachkundigem Rf vermindern Sie IC, gutes lineares von Rf und Gleichheit und hohe Genauigkeit.
n GaAs verstärken, doppelter Ausgang der Energie, hoher Gewinn und niedrige Verzerrung.
n Mikroprozessorsteuerarbeitsstatus, LED zeigt alle Parameter, Hilfsbetrieb und hohe Stabilität.
n Optimierung AGC-Leistung, wenn die Energiestrecke 92dBm, der Ausgangshebel, CTB und CSO-Unterhalt ständig ist.
n UnterstützungsDatenkommunikationsschnittstelle, anzuschließen ist bequem, an den Netzführunganrufbeantworter und schließt an Netzführungsystem an.
Technischer Parameter
Einzelteil | Maßeinheit | Technischer Parameter | |||
Optischer Parameter | |||||
Empfangen Sie optische Energie | dBm | -9 ~ +2 | |||
Rückflussdämpfung | DB | >45 | |||
Optische Wellenlänge | Nanometer | ~ 1100 1600 | |||
Verbindungsstück-Art |
| FC/APCSC/APC | |||
Faser-Art |
| Einzelner Modus | |||
Stromkreis-Leistung | |||||
C/N | DB | ≥ 51-2dBm Eingang | |||
C/CTB | DB | ≥ 65 | Ausgangs-Niveau 108 dBμV Ausgeglichenes 6dB | ||
C/CSO | DB | ≥ 60 | |||
Rf-Leistung | |||||
Frequenzbereich | MHZ | 45 ~862 | |||
Flachheit im Band | DB | ±0.75 | |||
Steuerpflichtiger Ausgangs-Niveau | dBμV | ≥ 108 | |||
Maximaler Ausgangs-Niveau | dBμV | ≥112 | |||
Ausgangs-Rückflussdämpfung | DB | ≥14 | |||
Ausgangs-Widerstand | Ω | 75 | |||
Strecke des elektronisches SteuerEQ | DB | 010 | |||
Strecke des elektronisches Steueratt | dBμV | 020 | |||
Gehen Sie übertragen Leistungs-Parameter zurück | |||||
Optischer Parameter | |||||
Optisch übertragen Sie Wellenlänge | Nanometer | 1310±10 | |||
Geben Sie optische Energie aus | dBm | 1 ~ 5 | |||
Verbindungsstück-Art |
| FC/APCSC/APC | |||
Rf-Parameter | |||||
Frequenzbereich | MHZ | 5 ~ 65 oder entsprechend der Anforderung des Benutzers | |||
Flachheit im Band | DB | ±1 | |||
Erfassungsebene | dBμV | 85 ~ 90 | |||
Ausgangs-Widerstand | Ω | 75 | |||
Allgemeiner Parameter | |||||
Versorgungsmaterial-Spannung | V | AAC150~265VBAC35~90V | |||
Betriebstemperatur | -40~60 | ||||
Speichertemperatur | -40~65 | ||||
Relative Luftfeuchtigkeit | % | Maximales 95% keine Kondensation | |||
Verbrauch | VA | ≤ 30 | |||
Maß | Millimeter | 240L 240W 150H | |||
Anmerkung: Der Parameter Vorwärts-Rfs wird unter dem Zustand der Anwendung DB-des doppelten Energienmoduls GaAs 25 im letzten Stadium, wenn Sie anderes Modul benutzen, der Parameter ist etwas unterschiedlich geprüft.
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