| Herstellungsverfahren | 0.09 Mikron SOI |
| Datenbreite | Bit 64 |
| Zahl von Kernen | 2 |
| Gleitkomma-Maßeinheit | Integriert |
| Pufferspeichergröße des Niveaus 1 | 2 x 64 KB-vereinigender Anweisungs2wegpufferspeicher 2wegpufferspeicher mit 2 x 64 KB-vereinigender Daten |
| Pufferspeichergröße des Niveaus 2 | 2 x 1 vereinigender Pufferspeicher der Weise des MB-Exklusiven 16 |
| Körperliches Gedächtnis | 1 TB |
| Virtueller Speicher (TB) | 256 |
| Simultanverarbeitung | Bis 2 Prozessoren |
| Eigenschaften |
|
| Schwachstromeigenschaften |
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| Auf-Span Peripherie |
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| Elektrische/thermische Parameter | |
| V Kern (V) | 1.3/1.35 |
| Minimale/Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) | 0 - 55 - 72 |
| Thermische Entwurfs-Energie (W) | 95 |
Taiwan
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