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25 N120 FGA25N120 IGBT-Transistor Einzel 50A 1200V 312W DIP TO-3P FGA25N120ANTDTU

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.Kundenspezifische Hersteller3 yrsCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
FGA25N120ANTDTU
Art
IGBT Transistor
Markenname
Original
Paket-Art
Dip

Andere Merkmale

Montage Typ
Durch Loch
Beschreibung
Einzelne igbts
Ursprungsort
China
Paket/Fall
TO-3P-3
Art
Transistoren
Serie
Diskrete Halbleiter produkte
D/c
Neu
Anwendung
Igbt Transistor
Kreuz Referenz
Ngtb25n120fl2wg, Ikw25n120t2fksa1, Irg8p25n120kdpbf, Ngtb25n120fl3wg, Ikw25n120cs7xksa1, Ihw25n120e1xksa1, Igw25n120h3fksa1, Ngtg25n120fl2wg, Fga25n120antdtu, FGA25N120ANTDTU-F109, Ikw25n120t2xk, Ikw25n120h3fksa1, MIW25N120FA-BP, Sgl25n120rufu, Ngtb25n120fl2wag, IRG8P25N120KD-EPBF, Ngtb25n120swg, Fgh25n120ftds, Ngtb25n120flwg, Skw25n120fksa1, Sfgh25n120ftds, Ngtb25n120ihlwg, Ihw25n120r2fksa1, Ngtb25n120
品名
Fga25n120antdtu
Strom-Collector (Ic) (Max)
50a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
1200v
Strom-Collector Cutoff (Max)
90a
Power-Max
312w
Frequenz-Übergang
4,1 mj (auf)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (tj)
Befestigungstyp
Perforation
IGBT Typ
Npt und graben
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
2,65 v @ 15v, 50a
Eingang
Standard
Schalt energie
4,1 mj (ein), 960uj (aus)
Tor ladung
200 nc
Td (ein/aus) @ 25 ℃
50ns/190ns
Test bedingung
600V, 25A, 10Ohm, 15V.
Umgekehrte Erholungs zeit (trr)
350 ns

Lieferfähigkeit

Lieferfähigkeit
10000 Stück/Stücke per Week

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 10000 > 10000
Vsl. Dauer (Tage)3Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

PCBA
Min. Auftrag: 1

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139 ₩

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