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      2 SA1941 2 SA1943 MOSFET BJT TO-3P gepaarte Transistoren ELEKTRONIK KOMPONENTE 2 SA1941/2 SC5198

      Noch keine Bewertungen4 Bestellungen
      Shenzhen Tengyuxin Electronics Co., Limited1 yrCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      2SA1941 2SA1943 2SA1941/2SC5198
      Art
      MOSFET
      Markenname
      Original Brand
      Paket-Art
      TO-3P

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Durch Loch
      Beschreibung
      Mosfet bjt
      Ursprungsort
      Original
      Paket/Fall
      TO-3P
      Art
      Mosfet bjt TO-3P
      Betriebstemperatur
      -55 °c ~ 150 °c
      Serie
      -
      D/c
      23 +
      Anwendung
      Allgemeine Zweck
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Kreuz Referenz
      Kontaktieren Sie uns
      Media Verfügbar
      Datenblatt
      品名
      Transistor
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -10a
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -140v
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Frequenz-Übergang
      -
      Betriebstemperatur
      -55 °c ~ 150 °c (tj)
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      -
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      -
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      -
      Vgs (Max)
      -
      IGBT Typ
      ...
      Konfiguration
      T-Typ
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      -
      Transistor Typ
      Mosfet
      Teilen ummer
      2 sa1941 2 sa1943
      Paket
      TO-3P
      Vorlaufzeit
      1 Tag
      Zustand
      100% neu & original
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      1 Jahr
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      0,1407 €

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