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      40 n60 Fgh40n60ufd Igbt-Transistoren G4pc50w 40 n60 Mosfet-Transistor Ic-Transistor diode 30 g124 Fgh40n60

      Noch keine Bewertungen1 Bestellung
      Shenzhen Yike Technology Co., Ltd.14 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      40n60

      Art
      IGBT Transistor

      Markenname
      original

      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Ursprungsort
      China

      Paket/Fall
      -

      D/c
      -

      Anwendung
      Allgemeine Zweck

      Lieferantentyp
      ODM

      Kreuz Referenz
      -

      Media Verfügbar
      Andere

      品名
      -

      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -

      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -

      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -

      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -

      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -

      Power-Max
      -

      Frequenz-Übergang
      -

      Betriebstemperatur
      -

      Widerstand-Basis (R1)
      -

      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -

      FET Typ
      -

      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      -

      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -

      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -

      Vgs (th) (Max) @ Id
      -

      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -

      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -

      Frequenz
      -

      Nennstrom (Ampere)
      -

      Rauschzahl
      -

      Power-Ausgang
      -

      Spannung-Bewertet
      -

      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      -

      Vgs (Max)
      -

      IGBT Typ
      -

      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -

      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -

      Eingang
      -

      Ntc
      -

      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -

      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -

      Strom Drain (Id)-Max
      -

      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -

      Widerstand-RDS (Auf)
      -

      Spannung
      -

      Spannung-Ausgang
      -

      Spannung-Offset (Vt)
      -

      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -

      Strom-Tal (Iv)
      -

      Strom-Spitzen
      -

      Anwendungen
      Allgemeiner Zweck

      D/c
      Neu

      Datenblatt
      Ja

      Moq
      1000 Stück

      Paket typ
      TO-3P

      Modell
      40 n60

      Betriebs temperatur
      Standard

      Typ
      Transistor

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      Verpackung und Lieferung

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      Packaging
      Yike Technology has its own designed professional selling package. To make sure there will be no damage to the goods during the transportation, we will put goods into small box, then big carton, double assurance.
      For OEM order, we can customize packaging according to customers' needs. Our professional art designer can also help you with the packaging design.

      Hafen
      Shenzhen

      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel

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      5X5X5 cm

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      Shenzhen Yike Technology Co., Ltd.
      14 J.Befindet sich in CN
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      >= 10000 Stück
      0,13 $

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