6 "8" 8-Zoll-GaN-Schicht auf Si-Wafer, GaN auf Silizium basis, GaN-auf-Si-Epitaxie wafer für Leistungs geräte
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Hauptmerkmale
Andere Merkmale
Ursprungsort
China
Markenname
XINKEHUI
Modellnummer
Barrier AlGaN or AlN or InAlN
Art
Epitaxial-Wafer
Thickness
semi standard
MOQ
2pcs
Application
powder device
Grade
prime
product name
layer on Si substrates
Certification
ROHS
Surface
SSP
Diamater
6INCH OR 8INCH
Substrate
si or sic
Shipping Term
FOB
Beschaffungszeit
| Menge (Stück) | 1 - 10 | > 10 |
| Vsl. Dauer (Tage) | 14 | Zu verhandeln |
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10 - 99 Stück
800,00 $
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