AO4264E MOSFET (Metalloxid) N-CHANNEL Einzelauslauf Triple Source Quad-Transistoren FETs Einzelauslöser Erweiterung 60 V 13.5 A 8 SO

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

CN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

AO4264E

Art

Transistor

Markenname

Original Brand

Paket-Art

Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ

Surface Mount

Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO

Ursprungsort

Original

Paket/Fall

8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)

Art

1 N-Channel

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Serie

AlphaSGT

D/c

newest

Anwendung

Allgemeine Zweck

Lieferantentyp

Händler

Kreuz Referenz

5202-AO4264ETR

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Other

品名

Transistor

Strom-Collector (Ic) (Max)

same as original

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

original standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

same as original

Strom-Collector Cutoff (Max)

original standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

same as original

Power-Max

3.1W (Ta)

Frequenz-Übergang

original standard

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungstyp

Oberfläche Montieren

Widerstand-Basis (R1)

same as original

Widerstand-Emitter Basis (R2)

original standard

FET Typ

N-Channel

FET Feature

same as original

Drain Quelle Spannung (Vdss)

60V

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

13.5A (Ta)

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 13.5A 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250uA

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100 pF @ 30 V

Frequenz

original standard

Nennstrom (Ampere)

same as original

Rauschzahl

original standard

Power-Ausgang

3.1W (Ta)

Spannung-Bewertet

original standard

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

same as original

Vgs (Max)

±20V

IGBT Typ

same as original

Konfiguration

Single Quad Drain Triple Source

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

same as original

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

original standard

Eingang

same as original

Ntc

original standard

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

same as original

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

original standard

Strom Drain (Id)-Max

same as original

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

original standard

Widerstand-RDS (Auf)

same as original

Spannung

original standard

Spannung-Ausgang

same as original

Spannung-Offset (Vt)

original standard

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

same as original

Strom-Tal (Iv)

original standard

Strom-Spitzen

same as original

Anwendungen

General Purpose

Transistor Typ

1 N-Channel

SPQ

3k/r

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Channel Mode

Enhancement

Maximum Continuous Drain Current (A)

13.5

Number of Elements per Chip

1

Lead Shape

Gull-wing

PCB changed

8

Pin Count

8

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

19X19X10 cm

Einzelbruttogewicht:

1.000 kg

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Vsl. Dauer (Tage)	15	Zu verhandeln

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