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      Brandneuer A68064 Electronics Component Felde ffekt transistor FET N-Kanal-Graben-MOS-Transistor

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      Shenzhen Mingshunxin Electronics Co., LimitdMehrfach spezialisierter Lieferant14 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      A68064

      Art
      Transistoren

      Markenname
      Original

      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Standard

      Beschreibung
      Felde ffekt transistor

      Ursprungsort
      Original

      Paket/Fall
      Bis-220

      Art
      Felde ffekt transistor

      Betriebstemperatur
      -40 bis 85 ° c

      Serie
      Felde ffekt transistor

      D/c
      Neu

      Anwendung
      Standard

      品名
      Transistor

      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      Standard

      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      Standard

      Strom-Collector Cutoff (Max)
      Standard

      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard

      Power-Max
      Standard

      Frequenz-Übergang
      Standard

      Betriebstemperatur
      Standard

      Befestigungstyp
      Perforation

      Widerstand-Basis (R1)
      Standard

      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      Standard

      FET Typ
      Standard

      FET Feature
      Standard

      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      Standard

      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      Standard

      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard

      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      Standard

      Frequenz
      Standard

      Nennstrom (Ampere)
      Standard

      Rauschzahl
      Standard

      Power-Ausgang
      Standard

      Spannung-Bewertet
      Standard

      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      Standard

      Vgs (Max)
      Standard

      IGBT Typ
      Standard

      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      Standard

      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      Standard

      Eingang
      Standard

      Ntc
      Standard

      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      Standard

      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard

      Strom Drain (Id)-Max
      Standard

      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      Standard

      Widerstand-RDS (Auf)
      Standard

      Spannung
      Standard

      Spannung-Ausgang
      Standard

      Spannung-Offset (Vt)
      Standard

      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      Standard

      Strom-Tal (Iv)
      Standard

      Strom-Spitzen
      Standard

      Anwendungen
      Standard

      Transistor Typ
      Transistor Mosfet

      Mehr Details
      Fet

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      Details zur Verpackung
      Tube

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      Shenzhen Mingshunxin Electronics Co., Limitd
      Mehrfach spezialisierter Lieferant14 J.Befindet sich in CN
      5 Eigenmarken
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