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      D1003UK 60 W 28 V 175 MHz RF MOSFET RF-Transistor RF VDMOS-Transistor

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      Shenzhen Genuine Industries Limited1 yrCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      D1003UK
      Art
      RF TRANSISTOR
      Markenname
      Original
      Paket-Art
      Oberfläche Montieren

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      standard
      Beschreibung
      D1003UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Ursprungsort
      Original
      Paket/Fall
      metal + ceramic
      Art
      RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Betriebstemperatur
      -65 to 150°C
      Serie
      28V devices for frequencies to 1 GHz
      D/c
      23+
      Anwendung
      Hochfrequenz
      Lieferantentyp
      ODM, Agentur, Händler
      品名
      D1003UK 60W 28V 175MHz RF MOSFET
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      standard
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      standard
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      standard
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard
      Power-Max
      60W
      Frequenz-Übergang
      1-175MHz
      Betriebstemperatur
      -65 to 150°C
      Befestigungstyp
      Oberfläche Montieren
      Widerstand-Basis (R1)
      standard
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      standard
      FET Typ
      VDMOS
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      70V
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      15A
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      7V
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      standard
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      180 pF
      Frequenz
      1-175MHz
      Nennstrom (Ampere)
      15A
      Rauschzahl
      standard
      Power-Ausgang
      60W
      Spannung-Bewertet
      28V
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      standard
      Vgs (Max)
      7V
      IGBT Typ
      standard
      Konfiguration
      standard
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      standard
      Eingang
      standard
      Ntc
      standard
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      ±20V
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      1 mA
      Strom Drain (Id)-Max
      5A
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      70V
      Widerstand-RDS (Auf)
      standard
      Spannung
      standard
      Spannung-Ausgang
      standard
      Spannung-Offset (Vt)
      standard
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      standard
      Strom-Tal (Iv)
      standard
      Strom-Spitzen
      standard
      Anwendungen
      standard
      Transistor Typ
      RF MOSFET

      Verpackung und Lieferung

      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      15X10X6 cm
      Einzelbruttogewicht:
      0.400 kg
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      Beschaffungszeit

      Menge (Stück)1 - 1011 - 100 > 100
      Vsl. Dauer (Tage)37Zu verhandeln

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      individuelle Verpackung
      Min. Auftrag: 1000
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      Min. Auftrag: 1000
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      1 - 49 Stück
      96,71 ₪
      >= 50 Stück
      59,37 ₪

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