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      EC-Mart 59N30 500 V TO-3PN-3 MOSFET Transistoren FDA59N30

      Noch keine Bewertungen1 Bestellung
      EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      FQA90N15
      Art
      MOSFET
      Markenname
      original
      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      TDSON-8
      Beschreibung
      Mosfet
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      TO-3PN-3
      Serie
      Fqa90n15
      D/c
      Neu
      品名
      Fqa90n15
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      ...
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Frequenz-Übergang
      -
      Betriebstemperatur
      -
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      ...
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      -
      FET Feature
      ...
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      ...
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      ...
      IGBT Typ
      -
      Konfiguration
      -
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      -
      Transistor polarität
      N-Kanal
      Anzahl der Kanäle
      1 Kanal
      VDS-Drain-Source-Durchschlags pannung
      300 v
      Id-kontinuierlicher Drainage strom
      59 a
      Rds On - Drain-Source-Widerstand
      56 Mohms
      Vgs-gate-quell spannung
      -30 v, + 30 v
      Vgs th-gate-quelle schwellen spannung
      3 v
      Qg-tor ladung
      100 nc
      Minimale Betriebs temperatur
      -55 c
      Maximale Betriebs temperatur
      + 150 c
      Mehr anzeigen

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