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      HDYu-Original & neuer IHW20N120R5 Transistor IGBT 1200V 40A TO247-3 IHW20N120R5 Auf Lager

      Noch keine Bewertungen1 Bestellung
      Shenzhen Huadingyu Electronic Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      IHW20N120R5
      Art
      IGBT Transistor
      Markenname
      Original
      Paket-Art
      TO-247

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      standard
      Beschreibung
      standard
      Ursprungsort
      Original
      Paket/Fall
      TO-247
      D/c
      Newest
      Anwendung
      MOSFET fahrer
      Lieferantentyp
      Original hersteller, ODM, Agentur, Händler, Other
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Other
      品名
      IHW20N120R5
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      standard
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      standard
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      standard
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard
      Power-Max
      standard
      Frequenz-Übergang
      standard
      Betriebstemperatur
      standard
      Befestigungstyp
      standard
      Widerstand-Basis (R1)
      standard
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      standard
      FET Typ
      standard
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      standard
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      standard
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      standard
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      standard
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      standard
      Frequenz
      standard
      Nennstrom (Ampere)
      standard
      Rauschzahl
      standard
      Power-Ausgang
      standard
      Spannung-Bewertet
      standard
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      standard
      Vgs (Max)
      standard
      IGBT Typ
      standard
      Konfiguration
      standard
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      standard
      Eingang
      standard
      Ntc
      standard
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      standard
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      standard
      Strom Drain (Id)-Max
      standard
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      standard
      Widerstand-RDS (Auf)
      standard
      Spannung
      standard
      Spannung-Ausgang
      standard
      Spannung-Offset (Vt)
      standard
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      standard
      Strom-Tal (Iv)
      standard
      Strom-Spitzen
      standard
      Anwendungen
      transistor
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