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HDYu-Original & neu HY5012W Transistor MOSFET TO-247 125 V 300 A auf Lager
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Hauptmerkmale
Zentrale Industriespezifikation
Modellnummer
HY5012W
Art
Mosfet-Transistor
Markenname
Original
Paket-Art
Bis-247
Andere Merkmale
Montage Typ
Standard
Beschreibung
Standard
Ursprungsort
Original
Paket/Fall
Bis-247
Art
Standard
Betriebstemperatur
Standard
Serie
Standard
D/c
Neueste
Anwendung
MOSFET fahrer
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM, Agentur, Händler, Andere
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Andere
品名
Hy5012w
Strom-Collector (Ic) (Max)
Standard
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Standard
Strom-Collector Cutoff (Max)
Standard
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Power-Max
Standard
Frequenz-Übergang
Standard
Betriebstemperatur
standard
Befestigungstyp
standard
Widerstand-Basis (R1)
Standard
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Standard
FET Typ
Standard
FET Feature
Standard
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Standard
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Standard
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Frequenz
Standard
Nennstrom (Ampere)
Standard
Rauschzahl
Standard
Power-Ausgang
Standard
Spannung-Bewertet
Standard
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Standard
Vgs (Max)
Standard
IGBT Typ
Standard
Konfiguration
Standard
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Standard
Eingang
Standard
Ntc
Standard
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Standard
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Strom Drain (Id)-Max
Standard
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Standard
Widerstand-RDS (Auf)
Standard
Spannung
Standard
Spannung-Ausgang
Standard
Spannung-Offset (Vt)
Standard
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Standard
Strom-Tal (Iv)
Standard
Strom-Spitzen
Standard
Anwendungen
Transistor
Transistor Typ
Mosfet
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