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IMW120R030M1HXKSA1 1,2 KV N-Kanal Feldwirkungs-Transistor MOSFET diskreter Halbleiter-Transistor Original-Diode-Triode

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Shenzhen Mingshunxin Electronics Co., LimitdMehrfach spezialisierter Lieferant14 yrsCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
IMW120R030M1HXKSA1

Art
MOSFET

Markenname
original

Paket-Art
Bis-247

Andere Merkmale

Montage Typ
Standard

Beschreibung
1,2 kV n Kanal Felde ffekt transistor

Ursprungsort
Guangdong, China

Paket/Fall
Bis-247

Art
Triode

Betriebstemperatur
-55 ° c bis 150 ° c

Serie
Triode

D/c
Neu

Lieferantentyp
Andere

Strom-Collector (Ic) (Max)
Standard

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard

Betriebstemperatur
-40 °c bis 150 °c

Befestigungstyp
Oberfläche Montieren

IGBT Typ
Standard

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Standard

Transistor Typ
Standard

Moq
1 pcs

Qualität
100% Marke 100%

Paket
Bis-247

Mehr Details
Triode

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 5000 > 5000
Vsl. Dauer (Tage)1Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

individuelle Verpackung
Min. Auftrag: 1000

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Mehrfach spezialisierter Lieferant14 J.Befindet sich in CN
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