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IRF3205 IRF3205 PBF Transistor MOSFET 55 V 98 A 8 mOhm TO-220 Leistungstransistor

5.0(1 review)
6 Bestellungen

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
IRF3205

Art
MOSFET

Markenname
Original

Paket-Art
Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ
Durchgangs loch

Beschreibung
Mosfet N-CH 55v 110a to220ab

Ursprungsort
China

Paket/Fall
Bis-220

Art
Mosfet

Betriebstemperatur
-55 °c ~ 175 °c

Serie
Hexfet

D/c
2022

Lieferantentyp
Original hersteller

Media Verfügbar
Datenblatt

品名
Mosfet

Strom-Collector (Ic) (Max)
Standard

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Standard

Strom-Collector Cutoff (Max)
Standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard

Power-Max
Standard

Frequenz-Übergang
Standard

Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C

Befestigungstyp
Oberfläche Montieren

Widerstand-Basis (R1)
Standard

Widerstand-Emitter Basis (R2)
Standard

FET Typ
N-CH

Drain Quelle Spannung (Vdss)
55 v

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
110 a

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Standard

Vgs (th) (Max) @ Id
Standard

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Standard

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Standard

Frequenz
Standard

Nennstrom (Ampere)
Standard

Rauschzahl
Standard

Power-Ausgang
Standard

Spannung-Bewertet
Standard

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
10v

Vgs (Max)
± 20v

Konfiguration
Einzel

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Standard

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Standard

Ntc
Standard

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Standard

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard

Strom Drain (Id)-Max
Standard

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Standard

Widerstand-RDS (Auf)
Standard

Spannung
Standard

Spannung-Ausgang
Standard

Spannung-Offset (Vt)
Standard

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Standard

Strom-Tal (Iv)
Standard

Strom-Spitzen
Standard

Anwendungen
Neue Energie/Auto/Industrie

Transistor Typ
Mosfet

Zahlung
Paypal \ tt \ western union \ handel assurance

Versand durch
Dhl \ ups \ fedex \ ems \ hk post

Produkt typ
Mosfet irf3205

Bleifreier Status
Rohs

Lieferzeit
5-7 Arbeitstage

Service
One-Stop-Bom-Service

Rds On - Drain-Source-Widerstand
8 Mohms

Pd-Verlust leistung
200 w

Transistor typ
N-Kanal jfet

Qg-tor ladung
97,3 nc

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung
Neue und ursprüngliche, werkseitig versiegelte Verpackung, wird es in einer dieser Verpackungs arten verpackt: Tube, Tray, Tape und Reel, Tape und Box, Groß verpackung, Tasche und etc. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Details.

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:
14X10X10 cm

Einzelbruttogewicht:
0.080 kg

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 10001001 - 50005001 - 10000 > 10000
Vsl. Dauer (Tage)579Zu verhandeln
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Preis der Musterprobe:
0,41 $/Stück

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individuelle Verpackung
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SMD
Min. Auftrag: 1

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