IRFB IRFB4110 Mosfet-Transistor TO-220AB IRFB4110PBF IRFB4110

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Shenzhen Goldtech Electronics Co., Limited5 yrs

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

IRFB4110PBF

Art

MOSFET

Markenname

Original

Andere Merkmale

Beschreibung

Mosfet trans isto

Ursprungsort

Argentina

Paket/Fall

Bis-220-3

Serie

Mosfet

D/c

22 +

Lieferantentyp

Andere

品名

Mosfet N-CH

Strom-Collector (Ic) (Max)

100v 120a TO-220AB

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Standard

Strom-Collector Cutoff (Max)

Standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Standard

Power-Max

Standard

Frequenz-Übergang

Standard

Betriebstemperatur

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

120a

Widerstand-Emitter Basis (R2)

210nc 10v

FET Typ

N-Kanal

Drain Quelle Spannung (Vdss)

100v

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

120a

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

210nc 10v

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9620pf 50v

Frequenz

210nc

Nennstrom (Ampere)

120v

Rauschzahl

10v

Power-Ausgang

220v

Spannung-Bewertet

220v

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

10v

Vgs (Max)

± 20v

IGBT Typ

'120v

Konfiguration

Einzel

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

100v

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

10v

Eingang

110v

Ntc

110v

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Plus

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Plus

Strom Drain (Id)-Max

Plus

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Plus

Widerstand-RDS (Auf)

Plus

Spannung

Plus

Spannung-Ausgang

Plus

Spannung-Offset (Vt)

Plus

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Plus

Strom-Tal (Iv)

Plus

Strom-Spitzen

Plus

Anwendungen

Transistor

Typ

Trioden transistor

Bleifreier Status

Bleifrei/rohs

Teilen ummer

Irfb4110pbf

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