IRLL110TRPBF Strom-MOSFET (Metalloxid)1 N-Kanal 100 V 1,5 A (Tc) 2 W (Ta) 3,1 W (Tc) Oberflächenmontage SOT-223 Transistoren FETs

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

CN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

IRLL110TRPBF

Art

Transistor

Markenname

Original Brand

Paket-Art

Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ

Surface Mount

Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Ursprungsort

Original

Paket/Fall

TO-261-4 TO-261AA

Art

1 N-Channel

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Serie

HEXFET

D/c

newest

Anwendung

Allgemeine Zweck

Lieferantentyp

Händler

Kreuz Referenz

IRLL110PBFDKR

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Other

品名

Transistor

Strom-Collector (Ic) (Max)

same as original

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

original standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

same as original

Strom-Collector Cutoff (Max)

original standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

same as original

Power-Max

2W (Ta) 3.1W (Tc)

Frequenz-Übergang

original standard

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungstyp

Oberfläche Montieren

Widerstand-Basis (R1)

same as original

Widerstand-Emitter Basis (R2)

original standard

FET Typ

N-Channel

FET Feature

same as original

Drain Quelle Spannung (Vdss)

100 V

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

1.5A (Tc)

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 900mA 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250uA

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 30V

Frequenz

original standard

Nennstrom (Ampere)

same as original

Rauschzahl

original standard

Power-Ausgang

2W (Ta)3.1W (Tc)

Spannung-Bewertet

original standard

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

same as original

Vgs (Max)

same as original

IGBT Typ

same as original

Konfiguration

Einzel

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

same as original

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

original standard

Eingang

same as original

Ntc

original standard

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

same as original

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

original standard

Strom Drain (Id)-Max

same as original

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

original standard

Widerstand-RDS (Auf)

same as original

Spannung

original standard

Spannung-Ausgang

same as original

Spannung-Offset (Vt)

original standard

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

same as original

Strom-Tal (Iv)

original standard

Strom-Spitzen

same as original

Anwendungen

General Purpose

Transistor Typ

1 N-Channel

SPQ

2.5k/reel

Number of Elements per Chip

2

PCB changed

3

Pin Count

4

Lead Shape

Gull-wing

Unit Weight:

0.008818 oz

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Channel Mode

Enhancement

Rise Time:

47 ns

Fall Time:

18 ns

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

19X19X10 cm

Einzelbruttogewicht:

1.000 kg

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 2500	> 2500
Vsl. Dauer (Tage)	15	Zu verhandeln

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Preis der Musterprobe:

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