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      InP-Wafer-Substrat Hochleistungs-Hochfrequenz-Elektronik geräte Opto elektronik geräte Laserdioden Epit axiale InGaAs-Basis

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      Yunnan Lincang Xinyuan Germanium Industry Co., Ltd.2 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Andere Merkmale

      Ursprungsort
      Yunnan, China
      Markenname
      Xinyao Semiconductor
      Modellnummer
      InP
      Art
      wafer
      Product name
      InP Wafer Substrate
      Application
      Electronics Devices Optoelectronics Devices
      Size
      2" 3" 4" 6''
      MOQ
      100 PCS
      Delivery Time
      30 Days
      Warranty
      6 Months
      Surface
      PE PP
      Pack
      EPI Ready
      Type/Dopant
      N & SI
      Grade
      Prime

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      1.425.585 JP¥

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