MJL21193G MJL21193 Transistor TO3P Verstärker MJL21194 Transistor MJL21193 MJL21194

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Shenzhen Zhendongxin Electronic Technology Co., Ltd.

Mehrfach spezialisierter Lieferant4 yrs

CN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

MJL21193 MJL21194

Art

Transistor

Markenname

Original

Paket-Art

-

Andere Merkmale

Montage Typ

Through Hole

Beschreibung

Power Mosfet 100V 180A

Ursprungsort

Original

Paket/Fall

TO-264-3, TO-264AA

D/c

Newest

Anwendung

-

Kreuz Referenz

-

品名

-

Strom-Collector (Ic) (Max)

16A

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

250V

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 3.2A 16A

Strom-Collector Cutoff (Max)

-

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 8A 5V

Power-Max

200W

Frequenz-Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

-

Widerstand-Emitter Basis (R2)

-

FET Typ

-

FET Feature

-

Drain Quelle Spannung (Vdss)

-

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

-

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Frequenz

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Power-Ausgang

-

Spannung-Bewertet

-

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

-

Vgs (Max)

-

IGBT Typ

-

Konfiguration

-

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

-

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

-

Eingang

-

Ntc

-

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

-

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

-

Strom Drain (Id)-Max

-

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

-

Widerstand-RDS (Auf)

-

Spannung

-

Spannung-Ausgang

-

Spannung-Offset (Vt)

-

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

-

Strom-Tal (Iv)

-

Strom-Spitzen

-

Anwendungen

-

D/C

New

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1-3 Working Days

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Hafen

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