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MOSFET P-CH 30 V 21A/34A 8DFN AONR21357 P-Kanal 30 V 21A (Ta), 34A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Oberflächen montage 8-DFN-EP (3x3)

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Shenzhen Junjia Industrial Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant1 yrCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
AONR21357
Art
-
Markenname
Brand new and original
Paket-Art
Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ
8-dfn
Beschreibung
Mosfet P-CH 30v 21a/34a 8dfn
Ursprungsort
Brand new and original
Paket/Fall
8-dfn
Art
Mosfet
Betriebstemperatur
-55 °c ~ 150 °c (tj)
Serie
-
D/c
-
Strom-Collector (Ic) (Max)
-
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power-Max
-
Frequenz-Übergang
-
Betriebstemperatur
-
Befestigungstyp
-
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Typ
-
FET Feature
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
-
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
-
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Frequenz
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Power-Ausgang
-
Spannung-Bewertet
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
-
Vgs (Max)
-
IGBT Typ
-
Konfiguration
-
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Eingang
-
Ntc
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Strom Drain (Id)-Max
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Widerstand-RDS (Auf)
-
Spannung
-
Spannung-Ausgang
-
Spannung-Offset (Vt)
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Strom-Tal (Iv)
-
Strom-Spitzen
-
Anwendungen
-

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 1 > 1
Vsl. Dauer (Tage)7Zu verhandeln

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

100 - 999 Stück
0,45 $
1000 - 1999 Stück
0,30 $
>= 2000 Stück
0,25 $

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