Beschreibung
Die hc4406a verwendet fortschritt liche Graben technologie, um eine aus gezeichnete rds (on) Low-Gate-Ladung und einen Betrieb mit Gate-Spannungen von bis zu 2,5 V zu ermöglichen. Dieses Gerät ist für den Einsatz als Lastschalter oder in PWM-Anwendungen geeignet
Art
P-kanal mosfet hc4406a si2301
Betriebstemperatur
-40 - 125 ℃
Serie
Leistungs-Mosfet-Transistor
Anwendung
Energie management
Lieferantentyp
Original hersteller
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos
品名
N-Kanal 30v 11a Verbesserung modus Power Mosfet
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Standard
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Betriebstemperatur
150 °c (tj)
Widerstand-Basis (R1)
Standard
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Standard
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Standard
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Standard
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Nennstrom (Ampere)
Standard
Spannung-Bewertet
Standard
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Standard
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Standard
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Standard
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Strom Drain (Id)-Max
Standard
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Standard
Widerstand-RDS (Auf)
Standard
Spannung-Offset (Vt)
Standard
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Standard
Transistor Typ
N-Kanal-Verbesserung modus Power Mosfet
Zahlungs möglichkeiten
Paypal \ tt \ western union \ handel assurance
Versand durch
Dhl \ ups \ fedex \ ems \ hk post
Qualität
100% original Marke