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      Neuer Original-Transistor DMN3032LFDB-7 UDFN2020-6 Integrierte Schaltkreise für Leiterplatten

      Noch keine Bewertungen
      Shenzhen Jealon Micro Technology Co., Ltd.1 yrCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      DMN3032LFDB-7
      Art
      IGBT Transistor
      Markenname
      New Original Brand
      Paket-Art
      Oberfläche Montieren

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Oberflächen montage
      Beschreibung
      Gute Qualität
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      UDFN2020-6
      Art
      Transistoren
      Betriebstemperatur
      -
      Serie
      -
      D/c
      2023
      Anwendung
      Allgemeine Zweck
      Lieferantentyp
      Andere
      Kreuz Referenz
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      品名
      Transistoren
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Frequenz-Übergang
      -
      Betriebstemperatur
      -
      Befestigungstyp
      Oberfläche Montieren
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      -
      FET Feature
      -
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      -
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      -
      Vgs (Max)
      -
      IGBT Typ
      -
      Konfiguration
      -
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      Alle
      Transistor Typ
      Mosfet
      Produktname
      Transistor
      Zahlungs bedingung
      Western union, t/t, paypal
      Service
      One-Stop-Service für Bom-Liste
      Garantie
      365 Tage
      Versand durch
      Dhl/fedex/tnt/china post
      Datenblatt
      Liane (ein t)sinoskyelectronic.com
      Qualität
      100% original Marke
      Bleifreier Status
      Bleifreies pb
      Verpackung
      Rohr/Tablett/Klebeband/Rolle/Beutel/Box
      Lieferant
      Shenzhen Sinosky Elektronik co., Ltd.

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      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      10X10X5 cm
      Einzelbruttogewicht:
      0.050 kg
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      >= 10000 Stück
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