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QXW Transistoren Mosfet SOIC-8 MOS IC Chips FDS8878
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Shenzhen Qixinwei Technology Co., Ltd.
Mehrfach spezialisierter Lieferant
2 yrs
CN
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Hauptmerkmale
Zentrale Industriespezifikation
Modellnummer
FDS8878
Art
MOSFET
Markenname
origin
Paket-Art
Oberfläche Montieren
Andere Merkmale
Montage Typ
Oberflächen montage
Beschreibung
Mosfet
Ursprungsort
origin
Paket/Fall
SOIC-8
D/c
Neueste
Anwendung
Allgemeine Zweck
Lieferantentyp
Original hersteller
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
Mosfet
Strom-Collector (Ic) (Max)
-
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Power-Max
-
Frequenz-Übergang
-
Betriebstemperatur
-55 ~ + 150 ℃
Befestigungstyp
-
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Typ
-
FET Feature
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
-
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
-
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Mehr anzeigen
Beschaffungszeit
Menge (Stück)
1 - 30000
30001 - 300000
> 300000
Vsl. Dauer (Tage)
5
7
Zu verhandeln
Kundenspezifische Anpassung
Graphic customization
Min. Auftrag: 100000
Customized packaging
Min. Auftrag: 100000
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Produktbeschreibungen vom Lieferanten
1 - 99 Stück
48 JP¥
100 - 999 Stück
42 JP¥
>= 1000 Stück
35 JP¥
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