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QXW Transistoren Mosfet N-Kanal 80 V 223 A TO-220-3 MOS IC-Chips FDP027N08 FDP027N08B-F102

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Shenzhen Qixinwei Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant2 yrsCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
FDP027N08B-F102
Art
MOSFET
Markenname
origin
Paket-Art
Durch Loch

Andere Merkmale

Montage Typ
Durch Loch
Beschreibung
Mosfet
Ursprungsort
origin
Paket/Fall
Bis-220-3
D/c
Neueste
Anwendung
Allgemeine Zweck
Lieferantentyp
Original hersteller
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
Mosfet
Strom-Collector (Ic) (Max)
-
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Power-Max
-
Frequenz-Übergang
-
Betriebstemperatur
-55 ~ + 150 ℃
Befestigungstyp
Perforation
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Typ
Mosfet n Kanal
FET Feature
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
80v
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
223a
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
2,7 mΩ @ 10v, 100a
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 v @ 250μa

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 3000030001 - 300000 > 300000
Vsl. Dauer (Tage)57Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

Customized packaging
Min. Auftrag: 100000
Customized logo
Min. Auftrag: 100000
Graphic customization
Min. Auftrag: 100000

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

1 - 99 Stück
2.241 ₩
100 - 999 Stück
2.213 ₩
>= 1000 Stück
2.171 ₩

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