STD7NM60N Transistoren FETs Leistungs-MOSFET (Metalloxid) einzelne FETs N-Kanal 600 V 5 A (Tc) 45 W (Tc) 0,84 Ohm Oberflächenaufbau DPAK

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

STD7NM60N

Art

Transistoren

Markenname

original

Paket-Art

Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ

Oberflächen montage

Beschreibung

Mosfet N-CH 600v 5a dpak

Ursprungsort

original

Paket/Fall

Bis-252-3 dpak (2 führt + Tab) SC-63

Art

N-Kanal

Betriebstemperatur

150 °c (tj)

Serie

Mdmesh ii

D/c

Neueste

Anwendung

Allgemeine Zweck

Lieferantentyp

Händler

Kreuz Referenz

141-35043-1

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Andere

品名

Transistoren fets

Strom-Collector (Ic) (Max)

Gleiche wie original

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Ursprünglicher Standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Gleiche wie original

Strom-Collector Cutoff (Max)

Ursprünglicher Standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Gleiche wie original

Power-Max

Ursprünglicher Standard

Frequenz-Übergang

Gleiche wie original

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungstyp

Oberfläche Montieren

Widerstand-Basis (R1)

Gleiche wie original

Widerstand-Emitter Basis (R2)

Ursprünglicher Standard

FET Typ

N-Kanal

FET Feature

Gleiche wie original

Drain Quelle Spannung (Vdss)

600 v

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

5a (tc)

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

900mohm @ 2,5 a 10v

Vgs (th) (Max) @ Id

4v @ 250ua

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14 nc @ 10 v

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

363 pf @ 50 v

Frequenz

Gleiche wie original

Nennstrom (Ampere)

Ursprünglicher Standard

Rauschzahl

Gleiche wie original

Power-Ausgang

45w (tc)

Spannung-Bewertet

Ursprünglicher Standard

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

Gleiche wie original

Vgs (Max)

± 25v

IGBT Typ

Ursprünglicher Standard

Konfiguration

Einzel

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Gleiche wie original

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Ursprünglicher Standard

Eingang

Gleiche wie original

Ntc

Ursprünglicher Standard

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Gleiche wie original

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Ursprünglicher Standard

Strom Drain (Id)-Max

Gleiche wie original

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Ursprünglicher Standard

Widerstand-RDS (Auf)

Gleiche wie original

Spannung

Ursprünglicher Standard

Spannung-Ausgang

Gleiche wie original

Spannung-Offset (Vt)

Ursprünglicher Standard

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Gleiche wie original

Strom-Tal (Iv)

Ursprünglicher Standard

Strom-Spitzen

Gleiche wie original

Anwendungen

Allgemeiner Zweck

Transistor Typ

N-Kanal

Spq

2,5 k/r

Anzahl der Kanäle:

1 Kanal

Technologie:

Einheits gewicht:

0,011640 oz

Pcb geändert

Pin-Zählung

Blei form

Möwen flügel

Kanal modus

Verbesserung

Status erreichen

Unberührt erreichen

Eccn

Ear99

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

19X19X10 cm

Einzelbruttogewicht:

1.000 kg

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 2500	> 2500
Vsl. Dauer (Tage)	15	Zu verhandeln

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Preis der Musterprobe:

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