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      In den Vereinigten Staaten hergestellter Stromtransistor mit Top-Qualität Irgbc20F Transistor Mosfet für Großexport

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      PRIMA ELECTRO S.p.A.1 yrIT
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      IRGBC20F
      Art
      IGBT Transistor
      Markenname
      /
      Paket-Art
      Andere

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      /
      Beschreibung
      /
      Ursprungsort
      United States
      Paket/Fall
      /
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      600 v
      Betriebs frequenz
      TO-220AB

      Verpackung und Lieferung

      Hafen
      Genoa
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      Beschaffungszeit

      Menge (Einheiten)1 - 1 > 1
      Vsl. Dauer (Tage)5Zu verhandeln

      Produktbeschreibungen vom Lieferanten

      >= 1 Einheiten
      1,08 $

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