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      UMG5NTR Pre-Biased Bipolar Transistor 2 NPN Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount

      Noch keine Bewertungen
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      UMG5NTR
      Art
      Bipolar Transistor
      Markenname
      Original Brand
      Paket-Art
      5-tssop & SC-70-5 & sot-353

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Oberflächen montage
      Beschreibung
      Trans 2npn prebias 0,15 w umt5
      Ursprungsort
      Original
      Paket/Fall
      5-tssop & SC-70-5 & sot-353
      Art
      2 npn-vor eingenommen (dual)
      Betriebstemperatur
      Ursprünglicher Standard
      Serie
      Original
      D/c
      Neueste
      Anwendung
      Allgemeine Zweck
      Lieferantentyp
      Händler
      Kreuz Referenz
      Umg5nct
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle
      品名
      Bipolarer Transistor
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      100ma
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      50v
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      Original
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      500na
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      68 @ 5ma, 5v
      Power-Max
      150mw
      Frequenz-Übergang
      Original
      Betriebstemperatur
      Original
      Befestigungstyp
      Oberfläche Montieren
      Widerstand-Basis (R1)
      10kohm
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      47kohm
      FET Typ
      Original
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      Original
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      Original
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      Original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Original
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      Original
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      Original
      Frequenz
      250MHz
      Nennstrom (Ampere)
      Original
      Rauschzahl
      Original
      Power-Ausgang
      150mw
      Spannung-Bewertet
      Standard
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      Original
      Vgs (Max)
      Original
      IGBT Typ
      Original
      Konfiguration
      Original
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      Original
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      Original
      Eingang
      Original
      Ntc
      Original
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      Original
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Original
      Strom Drain (Id)-Max
      Original
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      Original
      Widerstand-RDS (Auf)
      Original
      Spannung
      Original
      Spannung-Ausgang
      Original
      Spannung-Offset (Vt)
      Original
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      Original
      Strom-Tal (Iv)
      Original
      Strom-Spitzen
      Original
      Anwendungen
      Allgemeiner Zweck
      Transistor Typ
      2 npn-vor eingenommen (dual)
      Teiles tatus
      Aktiv
      Lieferanten geräte paket
      Umt5
      Basis produktnummer
      Umg5
      Rohs status
      Rohs3 konform
      Feuchtigkeit empfindlichkeit (msl)
      1 (unbegrenzt)
      Montage art
      Smd/smt
      Konfiguration
      Dual Common Emitter
      Gleichstrom kollektor/Basis verstärkung hfe min
      68
      Kollektor-Emitter-Spannung vceo max
      50 v
      Standard paket
      3000 Stück/Rolle

      Verpackung und Lieferung

      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      19X19X10 cm
      Einzelbruttogewicht:
      1.000 kg
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      Menge (Stück)1 - 3000 > 3000
      Vsl. Dauer (Tage)15Zu verhandeln
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      1 - 9 Stück
      33,85 ₹
      >= 10 Stück
      25,39 ₹

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