Xinkehui gesintertes Siliziumcarbid SiC-Substrat Wafer für Halbleiter

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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrs

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Hauptmerkmale

Andere Merkmale

Ursprungsort

Shanghai

Markenname

XInkehui

Modellnummer

customized

Art

SiC Wafer

Material

Sic Einkristall 4h-n Typ

Dicke

0,35-0,5mm

Klasse

Dummy/Produktions qualität

Oberfläche

Doppelseitig poliert

Durchmesser

150 ± 0,5mm

Anwendung

Poliert est für Geräte hersteller

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 25	> 25
Vsl. Dauer (Tage)	15	Zu verhandeln

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