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      NPN-to-3p paket transistor bu508A Hoch leistungs transistor für Ultraschall geräte

      Noch keine Bewertungen
      Shenzhen Zhichaowei Electronics Co., Ltd.4 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      BU508A
      Art
      Npn
      Markenname
      SPTECH
      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Durchgangs loch
      Beschreibung
      Bipolarer Transistor
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      TO-3PN
      Anwendung
      Ultraschall geräte
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos
      品名
      Bipolarer Transistor
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      8a
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      700 v
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      1,0 v
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      0,1 ma
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      6
      Power-Max
      125 w
      Frequenz-Übergang
      7 mhz
      Betriebstemperatur
      -65 ~ 150 ℃
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      -
      FET Feature
      -
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      -
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      -
      Vgs (Max)
      -
      IGBT Typ
      -
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -

      Verpackung und Lieferung

      Verkaufseinheiten:
      Mehrere von 30
      Paketgröße pro Charge:
      60X10X5 cm
      Bruttogewicht pro Charge:
      0.300 kg
      Mehr anzeigen

      Beschaffungszeit

      Menge (Stück)1 - 3031 - 600601 - 3000 > 3000
      Vsl. Dauer (Tage)71015Zu verhandeln

      Produktbeschreibungen vom Lieferanten

      1 batch = 30 Stück
      30 - 599 Stück
      0,62 $
      600 - 2999 Stück
      0,58 $
      >= 3000 Stück
      0,54 $

      Menge

      Versand

      Summe Artikel (0 Artikel, 0 Variationen)
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