Elektronische Teile IC-Chip MOSFET MARK SVF2N60D SVF2N6 2 N60D TO-252 SVF2N60DTR integrierte Schaltkreise

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Shenzhen Wanxinwei Technology Co., Ltd.

Mehrfach spezialisierter Lieferant9 yrs

CN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

SVF2N60DTR

Art

MOSFET

Markenname

Original Brand

Paket-Art

.

Andere Merkmale

Montage Typ

Bis-252

Beschreibung

. Bis-252 svf2n60dtr

Ursprungsort

Johor, Malaysia

Paket/Fall

.

Serie

.

D/c

Standard

Anwendung

.

Lieferantentyp

Original hersteller, ODM, Agentur, Andere, Unterstützung bom Zitat

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Andere, Unterstützung aus einer Hand

品名

Svf2n60dtr

Strom-Collector (Ic) (Max)

.

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

.

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

.

Strom-Collector Cutoff (Max)

..

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

.

Power-Max

.

Frequenz-Übergang

.

Betriebstemperatur

.

Befestigungstyp

.

Widerstand-Basis (R1)

.

Widerstand-Emitter Basis (R2)

.

FET Typ

.

FET Feature

..

Drain Quelle Spannung (Vdss)

.

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

.

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

.

Vgs (th) (Max) @ Id

.

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

.

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

.

Frequenz

.

Nennstrom (Ampere)

.

Rauschzahl

.

Power-Ausgang

..

Spannung-Bewertet

.

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

.

Vgs (Max)

.

IGBT Typ

.

Konfiguration

.

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

.

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

.

Eingang

.

Ntc

.

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

..

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

.

Strom Drain (Id)-Max

.

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

.

Widerstand-RDS (Auf)

.

Spannung

.

Spannung-Ausgang

.

Spannung-Offset (Vt)

..

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

.

Strom-Tal (Iv)

..

Strom-Spitzen

.

Anwendungen

.

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Garantie

365 Tage

Zahlungs möglichkeiten

T/t, western union, money gram, paypal, alipay, escrow

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