IRF1404 IRF1404Z IRF1405 IRF1407 Felde ffekt röhre MOS Neu IRF1404PBF IRF1404ZPBF IRF1405PBF IRF1407PBF IRF1404P IRF1404PB

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Shenzhen Yingjiexun Electronics Co., Ltd.3 yrs

CN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

IRF1404PBF

Art

IGBT Transistor

Markenname

import

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Beschreibung

1

Ursprungsort

Original

Paket/Fall

To220

D/c

2021

Anwendung

MOSFET fahrer

Lieferantentyp

N Kanal

Media Verfügbar

Felde ffekt röhre

品名

Irf1404pbf

Strom-Collector (Ic) (Max)

33a

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

100v

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

44mΩ 10v, 16a

Strom-Collector Cutoff (Max)

4v 250μa

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Power-Max

130w

Betriebstemperatur

-55 °c ~ 150 °c

Befestigungstyp

Perforation

FET Typ

N-Kanal

FET Feature

Standard

Power-Ausgang

.

IGBT Typ

N-Kanal

Konfiguration

Einzel

Anwendungen

Integrierte Schaltung

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung

box

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

5X5X5 cm

Einzelbruttogewicht:

0.005 kg

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 1	> 1
Vsl. Dauer (Tage)	7	Zu verhandeln

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individuelle Verpackung

Min. Auftrag: 1

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0,6301 €

100 - 999 Stück

0,6207 €

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