EC-Mart G053N10 HY-Transistor N-Kanal-MOSFET 100V 120A TO-220 HYG053N10NS1P

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Brand: Ali
SKU: 1600694658185

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EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrs

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

HYG053N10NS1P

Art

MOSFET

Markenname

EC MART

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Ursprungsort

Guangdong, China

Paket/Fall

Bis-263-3

D/c

Neu

Anwendung

Kreuz Referenz

Media Verfügbar

Datenblatt

品名

Mosfet

Strom-Collector (Ic) (Max)

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Strom-Collector Cutoff (Max)

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Power-Max

Frequenz-Übergang

Betriebstemperatur

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

Widerstand-Emitter Basis (R2)

FET Typ

N-Kanal

FET Feature

Drain Quelle Spannung (Vdss)

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenz

Nennstrom (Ampere)

Rauschzahl

Power-Ausgang

Spannung-Bewertet

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

Vgs (Max)

IGBT Typ

Konfiguration

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Eingang

Ntc

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Strom Drain (Id)-Max

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Widerstand-RDS (Auf)

Spannung

Spannung-Ausgang

Spannung-Offset (Vt)

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Strom-Tal (Iv)

Strom-Spitzen

Anwendungen

Teilen ummer

Hyg053n10ns1p

Montage art:

Durch Loch

Paket/fall:

Bis-220

Transistor polarität:

N-Kanal

Anzahl der Kanäle: 25 °c

1 Kanal

VDS-Drain-Source-Durchbruchs pannung:

100 v

Id-kontinuierlicher Drain-Strom:

120 a

Datenblätter

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Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung

ESD / Vacuum / Foam / Cartons

Hafen

Shenzhen / Hongkong

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999999 Stück/Stücke per Day

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 999999	> 999999
Vsl. Dauer (Tage)	3	Zu verhandeln

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Min. Auftrag: 999999

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