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      K538 mjl21194 auf semi mjl sd2942 rc smd oberflächen montierter power mosfet transistor für wechsel richter 3205 rf mrf429 34d g sap16 c5027

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      Finest PCB Assembly LimitedKundenspezifische Hersteller4 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      5200 1943 transistor
      Art
      IGBT Transistor
      Markenname
      Original Brand
      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Throught Hole
      Beschreibung
      bc547 transistor
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      TO-264-3 TO-264AA
      Art
      Transistor
      Serie
      2sc5200 2sa1943 transistor original
      D/c
      In-Stock
      Anwendung
      Power Amplifier
      Lieferantentyp
      ODM
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle
      品名
      2sc5200 2sa1943
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      15A
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -230V
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      3V @ 800mA 8A
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      15A
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      55 @ 1A 5V
      Power-Max
      150W
      Frequenz-Übergang
      30MHz
      Betriebstemperatur
      150°C (TJ)
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      standard
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      standard
      FET Typ
      NPN
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      230V
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      500mA (Ta)
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      3.8nC @ 4.5V
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      standard
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      standard
      Frequenz
      25MHZ
      Nennstrom (Ampere)
      15A
      Rauschzahl
      customized
      Power-Ausgang
      150W
      Spannung-Bewertet
      230V
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      15A
      Vgs (Max)
      15A230V150W
      IGBT Typ
      NPN+PNP
      Konfiguration
      silicon wafer
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      15A230V
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      15A230V
      Eingang
      standard
      Ntc
      customized
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      230V
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      15A
      Strom Drain (Id)-Max
      15A
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      230V
      Spannung
      230V
      Spannung-Ausgang
      230V
      Spannung-Offset (Vt)
      230V
      Strom-Tal (Iv)
      15A
      Strom-Spitzen
      15A
      Product Name
      Audio Power Transistors
      Product Keywords
      Original Transistor 2sc5200
      Quality
      100%Original
      Specifications
      2SD2395
      Package
      Original Package
      Service
      One Stop Bom Service
      MOQ
      1

      Verpackung und Lieferung

      Details zur Verpackung
      Inner: Vakuum verpackung oder anti statisches Paket,
      Außen: Export karton
      Oder entsprechend der Anforderung des Kunden.
      3000K-6000K Farbe Te
      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      20X10X10 cm
      Einzelbruttogewicht:
      1.000 kg
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