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      Jeking ISOLIERTER TOR BIPOLAR TRANSISTOR 1200V NPT IGBT Elektronische Komponente FGL40N120ANDTU

      Noch keine Bewertungen1 Bestellung
      Shenzhen Jeking Electronic Corp.Mehrfach spezialisierter Lieferant9 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      FGL40N120ANDTU
      Art
      Transistor
      Markenname
      original
      Paket-Art
      -

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      -
      Beschreibung
      Fgl40n120andtu
      Ursprungsort
      China
      Paket/Fall
      -
      Art
      -
      Betriebstemperatur
      -
      Serie
      -
      D/c
      -
      Anwendung
      -
      Lieferantentyp
      Original hersteller, Agentur, Händler, Andere
      Kreuz Referenz
      -
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Andere
      品名
      Transistor
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Frequenz-Übergang
      -
      Betriebstemperatur
      -
      Befestigungstyp
      -
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      -
      FET Feature
      -
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      ...
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      -
      Vgs (Max)
      ...
      IGBT Typ
      -
      Konfiguration
      -
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      ...
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      ...
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      ...
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      ...
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      -
      Transistor Typ
      -
      Produktname
      Fgl40n120andtu
      Kollektor-Emitter Spannung vceo max:
      1,2 kV
      Maximale Gate-Emitter-Spannung:
      -25 v, + 25 v
      Pd-Verlust leistung:
      500 w
      Kontinuierlicher Kollektors trom ic max:
      64 a
      Einheits gewicht:
      0,239863 oz
      Breite
      5mm
      Höhe:
      26mm
      Länge:
      20mm

      Verpackung und Lieferung

      Details zur Verpackung
      ESD/Vakuum/Schaum/Kartons
      Hafen
      Shenzhen/Hongkong

      Lieferfähigkeit

      Lieferfähigkeit
      10000 Stück/Stücke per Week
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      Menge (Stück)1 - 100000 > 100000
      Vsl. Dauer (Tage)3Zu verhandeln

      Produktbeschreibungen vom Lieferanten

      >= 100 Stück
      1,86 €

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