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Original marke Leistungs transistor 6 R190p6 China Electronics Parts Leistungs transistor 6 R190p6

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Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant3 yrsCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
power transistor 6r190p6
Markenname
Original Manufacturer
Paket-Art
TO-3P

Andere Merkmale

Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
TO-3P
D/c
2020
Lieferantentyp
Original hersteller, Agentur
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos
品名
Transistor
Strom-Collector (Ic) (Max)
-
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power-Max
80mw
Frequenz-Übergang
-
Betriebstemperatur
-55 °c ~ 150 °c (tj)
Befestigungstyp
Oberfläche Montieren
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Typ
-
FET Feature
Nicht Anwendbar
Drain Quelle Spannung (Vdss)
120v
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
10a
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Frequenz
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Power-Ausgang
-
Spannung-Bewertet
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
-
Vgs (Max)
-
IGBT Typ
-
Konfiguration
Dreiphasig
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Eingang
-
Ntc
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Strom Drain (Id)-Max
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Widerstand-RDS (Auf)
-
Spannung
-
Spannung-Ausgang
-
Spannung-Offset (Vt)
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Strom-Tal (Iv)
-
Strom-Spitzen
-
Anwendungen
-
Zahlungs möglichkeiten
Tt/western union/paypal und so weiter
Versand wege
Dhl/fedex/ems/china post und so weiter
Vorlaufzeit
Auf lager
Rosh
Ja
Marke
Original hersteller
Pn
1

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Details zur Verpackung
Original verpackung
Hafen
HK/SZ

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