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      Lieferung des neuen originalen koreanischen HZWL-Netzteils für neue Energie fahrzeuge SIC MOSFET 115 A1200V TO-247-4-Paket C3M0016120K

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      Shenzhen Haozhuo Waring Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      C3M0016120K
      Art
      Single Bipolar Transistors
      Markenname
      EKOWEISS
      Paket-Art
      TO-247-4

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      DIP
      Beschreibung
      original stamdard
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      TO-247-4
      Art
      SIC MOSFET
      Betriebstemperatur
      -55TO +175
      Serie
      original stamdard
      D/c
      Latest year
      Anwendung
      POWER
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Kreuz Referenz
      original stamdard
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Other
      品名
      C3M0016120K
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      115A
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      1200V
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      stable
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      115A
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      stable
      Power-Max
      stable
      Frequenz-Übergang
      stable
      Betriebstemperatur
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Befestigungstyp
      Oberfläche Montieren
      Widerstand-Basis (R1)
      stable
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      stable
      FET Typ
      stable
      FET Feature
      stable
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      stable
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      stable
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      stable
      Vgs (th) (Max) @ Id
      stable
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      stable
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      stable
      Frequenz
      stable
      Nennstrom (Ampere)
      stable
      Rauschzahl
      stable
      Power-Ausgang
      stable
      Spannung-Bewertet
      stable
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      stable
      Vgs (Max)
      stable
      IGBT Typ
      stable
      Konfiguration
      stable
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      stable
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      stable
      Eingang
      stable
      Ntc
      stable
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      stable
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      stable
      Strom Drain (Id)-Max
      stable
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      stable
      Widerstand-RDS (Auf)
      stable
      Spannung
      stable
      Spannung-Ausgang
      stable
      Spannung-Offset (Vt)
      stable
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      stable
      Strom-Tal (Iv)
      stable
      Strom-Spitzen
      stable
      Anwendungen
      POWER
      Transistor Typ
      original stamdard

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