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      Merrillchip igbt-wechselrichter neu und original isoliertes tor bipolarer transistor IPW60R045CPFKSA1

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      Shenzhen Merrillchip Electronics Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant6 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      IPW60R045CPFKSA1
      Art
      original
      Markenname
      standard
      Paket-Art
      Through Hole

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Through Hole
      Beschreibung
      MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
      Ursprungsort
      original
      Paket/Fall
      TO-247-3
      Art
      standard
      Betriebstemperatur
      -55°C ~ 150°C
      Serie
      standard
      D/c
      Newest
      Anwendung
      General
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      standard
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard
      Betriebstemperatur
      -55°C ~ 150°C
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      standard
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      standard
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      standard
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      standard
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      45mOhm 44A 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      3.5V 3mA
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      190nC 10V
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      6800pF 100V
      Frequenz
      standard
      Nennstrom (Ampere)
      standard
      Rauschzahl
      standard
      Power-Ausgang
      standard
      Spannung-Bewertet
      standard
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      standard
      Vgs (Max)
      standard
      IGBT Typ
      standard
      Konfiguration
      standard
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      standard
      Eingang
      standard
      Ntc
      standard
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      standard
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      standard
      Strom Drain (Id)-Max
      standard
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      standard
      Widerstand-RDS (Auf)
      standard
      Spannung
      standard
      Spannung-Ausgang
      standard
      Spannung-Offset (Vt)
      standard
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      standard
      Strom-Tal (Iv)
      standard
      Strom-Spitzen
      standard
      Anwendungen
      general
      Transistor Typ
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