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      ORIGINAL 600 V 120 A 298 W 60 N 60 DIP-IGBT-Transistor FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60

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      Shenzhen Great achievements Electronics Co., LTD1 yrCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      FGH60N60
      Art
      mrf150 rf power transistor
      Markenname
      FGH60N60
      Paket-Art
      Mosfet original

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Durchgangs loch oberflächen montage/Durchgangs loch smt
      Beschreibung
      Mosfet-Transistor
      Ursprungsort
      China
      Paket/Fall
      -
      Art
      Mrf150 rf Leistungs transistor
      Betriebstemperatur
      -
      Serie
      Gae
      D/c
      Durchgangs loch
      Anwendung
      Original
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Kreuz Referenz
      -
      Media Verfügbar
      Andere
      品名
      Fgh60n60
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Frequenz-Übergang
      -
      Betriebstemperatur
      -
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      -
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      -
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      -
      Vgs (Max)
      -
      IGBT Typ
      -
      Konfiguration
      Dreiphasig
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      Original
      Transistor Typ
      Mrf150 rf Leistungs transistor
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