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      STGW60V60DF IGBT-Transistoren 600V 60A Hochgeschwindigkeits-Trenchgate-IGBT-Transistor STGW60V60DF

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      Shenzhen Top Source Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant12 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      IRFP064NPBF
      Art
      MOSFET
      Markenname
      Origianl Brand
      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Durch Loch
      Beschreibung
      Igbt Transistor stgw60v60df
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      Standard
      Art
      Transistor
      Betriebstemperatur
      -55 °c ~ 175 °c
      D/c
      Neueste
      Anwendung
      Frequenz umrichter
      Lieferantentyp
      Original hersteller, ODM, Agentur
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle
      品名
      Transistor
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      Standard
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard
      IGBT Typ
      Standard
      Strom Drain (Id)-Max
      Standard
      Spannung
      600v
      Modell
      Stgw60v60df
      Montage art
      Durch Loch
      Paket/fall
      Bis-247-3
      Transistor polarität
      N-Kanal
      Anzahl der Kanäle
      1 Kanal
      VDS-Drain-Source-Durchschlags pannung
      200 v
      Id-kontinuierlicher Drainage strom
      30 a
      Rds On - Drain-Source-Widerstand
      75 Mohms
      Vgs-gate-quell spannung
      -20 v, + 20 v
      Betriebs temperatur
      -55 ℃ ~ 175 ℃

      Verpackung und Lieferung

      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      5X5X2 cm
      Einzelbruttogewicht:
      0.150 kg
      Mehr anzeigen

      Beschaffungszeit

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      Vsl. Dauer (Tage)13Zu verhandeln
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      4,30 $
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      3,57 $

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