IGBT Wafer 100 A 650 V China Transistor-Chip mit geringem Schaltverlust und VCE(sat) 1,4 V für Photovoltaik-Wechselrichter und UPS

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

AKGW100T065L1B

Art

IGBT Transistor

Markenname

Aiko

Paket-Art

Bloße sterben

Andere Merkmale

Montage Typ

Eingebaut

Beschreibung

Graben fs technologie, Low vce (sat), Niedriger Schalt verlust, Einfache Parallel isierung

Ursprungsort

China

Paket/Fall

Bloße sterben

Art

Igbt wafer

Betriebstemperatur

-40 ℃ ~ + 150 ℃

Anwendung

Fahrer

Lieferantentyp

Original hersteller, ODM

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos

品名

Igbt Transistor Wafer akgw100t065l1b

Strom-Collector (Ic) (Max)

100a

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

650v

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1,4 v

Betriebstemperatur

-40℃~+150℃

Nennstrom (Ampere)

100a

Spannung-Bewertet

650v

IGBT Typ

Graben-fs

Anwendungen

Allgemeiner Zweck

Transistor Typ

Igbt wafer

Wafer größe

8 Zoll

Wafer dicke

70 ± 5um

Grob sterben

688

Schreiber linie

80um

Gepulster Kollektors trom

400a

Vce (sat) bei ic = 100a

1,4 v

Vce (sat) max

1,7 v

Vge (th)

5,1 v

Gate-Leckstrom

200na

Kollektor Leckstrom

50ua

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 100	101 - 1000	> 1000
Vsl. Dauer (Tage)	20	30	Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

individuelles Logo

Min. Auftrag: 1000

individuelle Verpackung

Min. Auftrag: 1000

Grafikanpassung

Min. Auftrag: 1000

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Produktbeschreibungen vom Lieferanten

5 - 999 Stück

867,69 CN¥

>= 1000 Stück

506,15 CN¥

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