EC-Mart IRF840 MOSFET TO-220 600 V Transistoren IRF840 PBF

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EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrs

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

IRF840PBF

Art

Bipolar Transistor

Markenname

original brand

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ

Smd/smt

Beschreibung

Mosfet

Ursprungsort

California, United States

Paket/Fall

Original

Serie

Irf840pbf

D/c

Neu

品名

Irf840pbf

Strom-Collector (Ic) (Max)

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

...

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Strom-Collector Cutoff (Max)

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Power-Max

Frequenz-Übergang

Betriebstemperatur

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

...

Widerstand-Emitter Basis (R2)

FET Typ

FET Feature

...

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenz

Nennstrom (Ampere)

Rauschzahl

Power-Ausgang

...

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

...

IGBT Typ

Konfiguration

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Eingang

Ntc

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Widerstand-RDS (Auf)

Spannung

Spannung-Ausgang

Spannung-Offset (Vt)

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Strom-Tal (Iv)

Strom-Spitzen

Anwendungen

Transistor polarität

N-Kanal

Anzahl der Kanäle

1 Kanal

VDS-Drain-Source-Durchschlags pannung

600 v

Id-kontinuierlicher Drainage strom

6,2 a

Rds On - Drain-Source-Widerstand

1,2 Ohm

Minimale Betriebs temperatur

-55 c

Maximale Betriebs temperatur

+ 150 c

Vgs-gate-quell spannung

-20 v, + 20 v

Pd-Verlust leistung

125 w

Herunterfallen zeit

20 ns

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 1000	> 1000
Vsl. Dauer (Tage)	5	Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

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Min. Auftrag: 99999

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