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Elektrische Komponenten Integrierte Schaltkreise Speicher AS4C8M16SA-6BAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA

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Shenzhen Mygroup Electronics LimitedMehrfach spezialisierter Lieferant1 yrCN

Hauptmerkmale

Andere Merkmale

Ursprungsort
China
Markenname
Original
Modellnummer
AS4C8M16SA-6BAN
Montage Typ
Oberflächen montage
Beschreibung
Ic dram 128mbit par 54tfbga
Paket
Tablett
Reihe
-
Speichertyp
Flüchtig
Speicher format
Dram
Speicher größe
128mbit
Gedächtnis organization
8m x 16
Speichers chnitt stelle
Parallel
Taktfrequenz
166 MHz
Zugriffszeit
5 ns
Spannung-Versorgung
3v ~ 3,6 v

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
25X25X5 cm
Einzelbruttogewicht:
0.500 kg

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