SiC-Wafer p-Typ Silizium Epitaxial-Substrat doppelseitiger polierter Halbleiter
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Hauptmerkmale
Andere Merkmale
Ursprungsort
Shanghai, China
Markenname
XKH
Modellnummer
SiC substrate
Art
SiC Wafer
Material
Silizium karbid
Zahlung
Nach Ansicht des Kunden
Anwendung
Substrat/Epitaxie
Dichte
3,21g/cm3
Substrat typ
Sic Substrat
Wärme leitfähig keit
4,9
Verpackung und Lieferung
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
10X10X8 cm
Einzelbruttogewicht:
1.000 kg
Beschaffungszeit
| Menge (Stück) | 1 - 5 | > 5 |
| Vsl. Dauer (Tage) | 60 | Zu verhandeln |
Produktbeschreibungen vom Lieferanten
Mindestbestellmenge: 5 Stück
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