Ursprungsort
Sichuan, China
Form
Barren, Bar, 4n 4 n5 4n unfruchtbar
Chemische Zusammensetzung
In
Produktname:
4n 5n Indium unfruchtbar
Wärme leitfähig keit:
0,818 w/cm/k @ 298,2 k
Elektrischer Widerstand::
8,37 Mikrohm-cm @ 20 ℃
Anwendung:
Ito Ziel materialien, Halbleiter etc.
Acking:
Verpackt in vakuum polyester tasche/kunststoff tasche.