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110 N06NS 110 N15NS LR2905 LR2905Z Felde ffekt röhre Neu BSC110N06NS3G BSC110N15NS5 IRLR2905TRPBF IRLR2905ZTRPBF BSC110N06 BSC110N

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
BSC110N06NS3G
Art
IGBT Transistor
Markenname
import
Paket-Art
Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ
2023
Beschreibung
2023
Ursprungsort
Original
Paket/Fall
Qfn
D/c
2021
Anwendung
MOSFET fahrer
Lieferantentyp
N Kanal
Media Verfügbar
Felde ffekt röhre
品名
Bsc110n06ns3g
Strom-Collector (Ic) (Max)
33a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
100v
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
44mΩ 10v, 16a
Strom-Collector Cutoff (Max)
4v 250μa
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power-Max
130w
Betriebstemperatur
-55 °c ~ 150 °c
Befestigungstyp
Perforation
FET Typ
N-Kanal
FET Feature
Standard
Power-Ausgang
.
IGBT Typ
N-Kanal
Konfiguration
Einzel
Anwendungen
Integrierte Schaltung

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung
Box
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
5X5X5 cm
Einzelbruttogewicht:
0.005 kg

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 1 > 1
Vsl. Dauer (Tage)7Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

individuelle Verpackung
Min. Auftrag: 1

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

1 - 99 Stück
10,97 TRY
100 - 999 Stück
10,62 TRY
>= 1000 Stück
10,28 TRY

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