Beschreibung
Hohe Eingangs impedanz, Vce (sat)= 2,7 v (typ.) @ Ic = 50a, 1200 v50a npt technologie igbt transistor, High-Speed-Switching & Low-Power-Verlust
Ursprungsort
Zhejiang, China
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ + 150 ℃ (tj)
Anwendung
Ups, Inverter Schweißer und AC & DC Motors teuerungen
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos
品名
Akgl50n120und igbt Transistor 1200 v50a
Strom-Collector (Ic) (Max)
50a (tc = 100 ℃), 80a (tc = 25 ℃)
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
1200v
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
3,6 v
Strom-Collector Cutoff (Max)
50a
Betriebstemperatur
-55 °c ~ 150 °c (tj)
Befestigungstyp
Perforation
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
2,7 v
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
4330pf
Spannung-Offset (Vt)
± 20v
Anwendungen
Ups Inverter Schweißer und AC & DC Motor steuert
Transistor Typ
Igbt Transistor
Kollektors trom 1
50a (tc = 100 ℃)
Kollektors trom 2
80a (tc = 25 ℃)
Gepulster Kollektors trom
150a
Diode kontinuierlicher Vorwärts strom
40a
Maximaler Vorwärts strom der Diode
240a
Vce (sat)
2,7 v (typ.) Ic = 50a
Ausschalt verzögerung szeit
193ns (typ.)
Diode Reverse Recovery-Zeit
60ns