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      2 N6509G MCU Integrierte Schaltkreise Leistungs transistor Bipolar transistor SCR 800V 25A TO220AB 2 N6509G

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      Shenzhen Yichuanyang Electronic Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      2N6509G
      Art
      Transistor
      Markenname
      Original
      Paket-Art
      Bis-220-3

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Durchgangs loch
      Beschreibung
      Transistoren
      Ursprungsort
      Singapore
      Paket/Fall
      Bis-220-3
      Art
      Transistoren
      Betriebstemperatur
      -40 bis 125
      Serie
      Transistoren
      D/c
      23 +
      Anwendung
      Verbraucher-/Industrie projekte
      Lieferantentyp
      ODM, Andere
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      Standard
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      Standard
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      Standard
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      Standard
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard
      Power-Max
      Standard
      Frequenz-Übergang
      Standard
      Betriebstemperatur
      Standard
      Befestigungstyp
      Oberfläche Montieren
      Widerstand-Basis (R1)
      Standard
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      Standard
      FET Typ
      Standard
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      Standard
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      Standard
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      Standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Standard
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      Standard
      Frequenz
      Standard
      Nennstrom (Ampere)
      Standard
      Rauschzahl
      Standard
      Power-Ausgang
      Standard
      Spannung-Bewertet
      Standard
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      Standard
      Vgs (Max)
      Standard
      IGBT Typ
      Standard
      Konfiguration
      T-Typ
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      Standard
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      Standard
      Eingang
      Standard
      Ntc
      Standard
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      Standard
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard
      Strom Drain (Id)-Max
      Standard
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      Standard
      Widerstand-RDS (Auf)
      Standard
      Spannung
      Standard
      Spannung-Ausgang
      Standard
      Spannung-Offset (Vt)
      Standard
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      Standard
      Strom-Tal (Iv)
      Standard
      Strom-Spitzen
      Standard
      Anwendungen
      Standard
      Transistor Typ
      Standard
      Ic
      Transistoren
      Mehr anzeigen

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      Menge (Stück)1 - 1000 > 1000
      Vsl. Dauer (Tage)3Zu verhandeln

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      10 - 99 Stück
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      >= 100 Stück
      0,20 $

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