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2 N7002 smd Transistor markierung K72 N Kanal Mosfet SOT23
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Hauptmerkmale
Zentrale Industriespezifikation
Modellnummer
2N7002
Art
FET, Field-Effect Transistor
Markenname
Original
Paket-Art
Oberfläche Montieren
Andere Merkmale
Beschreibung
transistor
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
TO-236-3
D/c
/
Anwendung
/
Kreuz Referenz
/
品名
/
Strom-Collector (Ic) (Max)
/
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
/
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 250A
Strom-Collector Cutoff (Max)
/
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
/
Power-Max
200mW(Ta)
Frequenz-Übergang
/
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C
Befestigungstyp
Surface Mount Type
Widerstand-Basis (R1)
/
Widerstand-Emitter Basis (R2)
/
FET Typ
N channel
FET Feature
/
Drain Quelle Spannung (Vdss)
60 V
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
115mA(Ta)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
5V
Vgs (th) (Max) @ Id
10V
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
/
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Frequenz
/
Nennstrom (Ampere)
/
Rauschzahl
/
Power-Ausgang
/
Spannung-Bewertet
/
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
5V
Vgs (Max)
/
IGBT Typ
/
Konfiguration
/
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
/
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
/
Eingang
/
Ntc
/
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
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Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
Strom Drain (Id)-Max
/
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
/
Widerstand-RDS (Auf)
/
Spannung
/
Spannung-Ausgang
/
Spannung-Offset (Vt)
/
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
/
Strom-Tal (Iv)
/
Strom-Spitzen
/
Anwendungen
/
package
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Verpackung und Lieferung
Details zur Verpackung
Kartons
Beschaffungszeit
| Menge (Stück) | 1 - 1000 | > 1000 |
| Vsl. Dauer (Tage) | 3 | Zu verhandeln |
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