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2 N7002 smd Transistor markierung K72 N Kanal Mosfet SOT23

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Shenzhen Goldeleway Electronics Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant14 yrsCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
2N7002
Art
Fet
Markenname
EIECHIP
Paket-Art
Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ
Standard
Beschreibung
Standard
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Bis-236-3
D/c
/
Anwendung
/
Lieferantentyp
Andere
Kreuz Referenz
/
Media Verfügbar
Andere
品名
/
Strom-Collector (Ic) (Max)
/
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
/
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
2,5 v @ 250a
Strom-Collector Cutoff (Max)
/
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
/
Power-Max
200mw (ta)
Frequenz-Übergang
/
Betriebstemperatur
-55 °c ~ 150 °c
Befestigungstyp
Oberflächen montage typ
Widerstand-Basis (R1)
/
Widerstand-Emitter Basis (R2)
/
FET Typ
N Kanal
FET Feature
/
Drain Quelle Spannung (Vdss)
60 v
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
115ma (ta)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
5v
Vgs (th) (Max) @ Id
10v
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
/
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
50 pf @ 25 v
Frequenz
/
Nennstrom (Ampere)
/
Rauschzahl
/
Power-Ausgang
/
Spannung-Bewertet
/
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
5v
Vgs (Max)
/
IGBT Typ
/
Konfiguration
/
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
/
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
/
Eingang
/
Ntc
/
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
/
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
Strom Drain (Id)-Max
/
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
/
Widerstand-RDS (Auf)
/
Spannung
/
Spannung-Ausgang
/
Spannung-Offset (Vt)
/
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
/
Strom-Tal (Iv)
/
Strom-Spitzen
/
Anwendungen
/
Typ
Felde ffekt transistor
Paket
Bis-236-3,SC-59, sot-23-3

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
0.5X0.5X0.5 cm
Einzelbruttogewicht:
0.001 kg

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